Infineon SPW20N60C3

Infineon SPW20N60C3 — MOSFET транзистор с высоким напряжением, предназначенный для использования в силовых электронных приложениях. Предназначен для работы в устройствах, где требуется высокая эффективность и низкие потери мощности.
Технические данные:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Напряжение коллектор-исток (Vds): 600 В
- Ток стока (Id): 20 А
- Сопротивление при открытом ключе (Rds(on)): 0.3 Ом
- Максимальная мощность: 250 Вт
- Параметры зарядки: заряд затвора 280 нКл
- Тип корпуса: TO-220
- Максимальная рабочая температура: 150°C
- Напряжение изоляции: 2500 В
- Применение: источники питания, преобразователи, инверторы, сварочные аппараты, промышленные машины
- Стандарты: RoHS, JEDEC
Infineon SPW20N60C3 обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур, обладает низким сопротивлением канала и высокой способностью к рассеиванию тепла, что делает его идеальным для использования в системах, требующих высокого напряжения и мощности.