Fuji Electric 2MBI200N-060
Код: 2MBI200N-060
Тип: IGBT-модуль (N-серия)
Корпус: M233
Вес: ~180 г
Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCEsat), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока (до 3× от номинального) .
Параметр Значение Конфигурация 2 x N-канальный IGBT с диодами (2 in one-package) Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) 600 В Постоянный ток коллектора (IC) 200 А Импульсный ток (ICM) 400 А Напряжение насыщения (VCEsat) 2.8 В (макс.) Рассеиваемая мощность (PD) 780 Вт Напряжение изоляции 2500 В (переменного тока, 1 мин.) Напряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 В Время нарастания (tr) 600 нс Время спада (tf) 350 нс Макс. температура перехода (Tj) +150 °C Температура хранения (Tstg) -40 … +125 °C Тип монтажа Винтовое крепление (M5) Габариты (Ш×Г×В) 92 × 45 × 30 мм Области применения
Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока
Сервоусилители переменного и постоянного тока
Источники бесперебойного питания (ИБП)
Высокочастотные силовые преобразователи и сварочные аппараты
Системы управления электродвигателями
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Fuji Electric 2MBI200N-060
Бренд: Fuji Electric (Япония)
Код: 2MBI200N-060
Тип: IGBT-модуль (N-серия)
Корпус: M233
Вес: ~180 г
Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCEsat), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока (до 3× от номинального) .
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Конфигурация | 2 x N-канальный IGBT с диодами (2 in one-package) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Постоянный ток коллектора (IC) | 200 А |
| Импульсный ток (ICM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (VCEsat) | 2.8 В (макс.) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 780 Вт |
| Напряжение изоляции | 2500 В (переменного тока, 1 мин.) |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Время нарастания (tr) | 600 нс |
| Время спада (tf) | 350 нс |
| Макс. температура перехода (Tj) | +150 °C |
| Температура хранения (Tstg) | -40 … +125 °C |
| Тип монтажа | Винтовое крепление (M5) |
| Габариты (Ш×Г×В) | 92 × 45 × 30 мм |
Области применения
-
Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока
-
Сервоусилители переменного и постоянного тока
-
Источники бесперебойного питания (ИБП)
-
Высокочастотные силовые преобразователи и сварочные аппараты
-
Системы управления электродвигателями



