Перейти к содержанию
Нажмите или наведите курсор на изображения для увеличения

Fuji Electric 2MBI200N-060

6 240 ₽ c НДС
Бренд: Fuji Electric (Япония)
 Код: 2MBI200N-060
Тип: IGBT-модуль (N-серия)

Корпус: M233
 Вес: ~180 г 
 
Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCEsat), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока (до 3× от номинального) .
    Параметр Значение Конфигурация 2 x N-канальный IGBT с диодами (2 in one-package)  Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) 600 В  Постоянный ток коллектора (IC) 200 А  Импульсный ток (ICM) 400 А  Напряжение насыщения (VCEsat) 2.8 В (макс.)  Рассеиваемая мощность (PD) 780 Вт  Напряжение изоляции 2500 В (переменного тока, 1 мин.)  Напряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 В  Время нарастания (tr) 600 нс  Время спада (tf) 350 нс  Макс. температура перехода (Tj) +150 °C  Температура хранения (Tstg) -40 … +125 °C  Тип монтажа Винтовое крепление (M5)  Габариты (Ш×Г×В) 92 × 45 × 30 мм  Области применения
Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 
Сервоусилители переменного и постоянного тока 
Источники бесперебойного питания (ИБП) 
Высокочастотные силовые преобразователи и сварочные аппараты 
Системы управления электродвигателями


Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!

info@polytorg.com
 Поделиться



О Fuji Electric 2MBI200N-060

Бренд: Fuji Electric (Япония)

 Код: 2MBI200N-060

Тип: IGBT-модуль (N-серия)


Корпус: M233

 Вес: ~180 г 

 

Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCEsat), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока (до 3× от номинального) .

 
 
Параметр Значение
Конфигурация 2 x N-канальный IGBT с диодами (2 in one-package) 
Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) 600 В 
Постоянный ток коллектора (IC) 200 А 
Импульсный ток (ICM) 400 А 
Напряжение насыщения (VCEsat) 2.8 В (макс.) 
Рассеиваемая мощность (PD) 780 Вт 
Напряжение изоляции 2500 В (переменного тока, 1 мин.) 
Напряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 В 
Время нарастания (tr) 600 нс 
Время спада (tf) 350 нс 
Макс. температура перехода (Tj) +150 °C 
Температура хранения (Tstg) -40 … +125 °C 
Тип монтажа Винтовое крепление (M5) 
Габариты (Ш×Г×В) 92 × 45 × 30 мм 

Области применения

  • Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 

  • Сервоусилители переменного и постоянного тока 

  • Источники бесперебойного питания (ИБП) 

  • Высокочастотные силовые преобразователи и сварочные аппараты 

  • Системы управления электродвигателями

×
×
  • Создать...
Вверх