Перейти к содержанию
Нажмите или наведите курсор на изображения для увеличения

Fuji Electric 2MBI150N-060

4 800 ₽ c НДС
Бренд: Fuji Electric (Япония)
Код: 2MBI150N-060
Тип: IGBT-модуль (N-серия)

Корпус: M233
 Вес: ~180 г
 
Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCE(sat)), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока .
 
    Параметр Значение Конфигурация 2 x N-канальный IGBT с диодами  Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 600 В  Постоянный ток коллектора (Ic) 150 А (при 25°C)  Импульсный ток (Icm) 300 А  Напряжение насыщения (VCEsat) 2.8 В (тип.)  Рассеиваемая мощность (Pd) 600 Вт  Напряжение изоляции 2500 В (переменного тока)  Время нарастания (tr) 600 нс  Время спада (tf) 350 нс  Напряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 В  Макс. температура перехода (Tj) +150 °C  Тип монтажа Винтовое крепление (Screw terminal)  Габариты (Ш×Г×В) 92 × 45 × 30 мм  Области применения
Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 
Сервоусилители переменного и постоянного тока 
Источники бесперебойного питания (ИБП) 
Высокочастотные силовые преобразователи 
Системы управления электродвигателями


Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!

info@polytorg.com
 Поделиться



О Fuji Electric 2MBI150N-060

Бренд: Fuji Electric (Япония)

Код: 2MBI150N-060

Тип: IGBT-модуль (N-серия)


Корпус: M233

 Вес: ~180 г

 

Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCE(sat)), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока .

 

 
 
Параметр Значение
Конфигурация 2 x N-канальный IGBT с диодами 
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 600 В 
Постоянный ток коллектора (Ic) 150 А (при 25°C) 
Импульсный ток (Icm) 300 А 
Напряжение насыщения (VCEsat) 2.8 В (тип.) 
Рассеиваемая мощность (Pd) 600 Вт 
Напряжение изоляции 2500 В (переменного тока) 
Время нарастания (tr) 600 нс 
Время спада (tf) 350 нс 
Напряжение затвор-эмиттер (VGE) ±20 В 
Макс. температура перехода (Tj) +150 °C 
Тип монтажа Винтовое крепление (Screw terminal) 
Габариты (Ш×Г×В) 92 × 45 × 30 мм 

Области применения

  • Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 

  • Сервоусилители переменного и постоянного тока 

  • Источники бесперебойного питания (ИБП) 

  • Высокочастотные силовые преобразователи 

  • Системы управления электродвигателями

×
×
  • Создать...
Вверх