Semikron SKiiP11NAB126V1
Semikron SKiiP11NAB126V1 — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для применения в системах управления и преобразования энергии.
Технические данные:
- Номинальный ток: 120 A
- Максимальное обратное напряжение: 1200 В
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и диоды
- Схема включения: Полный мост
- Средняя мощность рассеяния: 4800 Вт
- Температура окружающей среды: до 100°C
- Тип охлаждения: Принудительное воздушное
- Монтаж: Скобами на теплоотвод
Модуль обеспечивает эффективное управление и преобразование энергии в системах, таких как инверторы, приводные устройства и другие промышленные приложения.
Технические данные:
- Номинальный ток: 120 A
- Максимальное обратное напряжение: 1200 В
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и диоды
- Схема включения: Полный мост
- Средняя мощность рассеяния: 4800 Вт
- Температура окружающей среды: до 100°C
- Тип охлаждения: Принудительное воздушное
- Монтаж: Скобами на теплоотвод
Модуль обеспечивает эффективное управление и преобразование энергии в системах, таких как инверторы, приводные устройства и другие промышленные приложения.
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Semikron SKiiP11NAB126V1
Semikron SKiiP11NAB126V1 — это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для применения в системах управления и преобразования энергии.
Технические данные:
- Номинальный ток: 120 A
- Максимальное обратное напряжение: 1200 В
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) и диоды
- Схема включения: Полный мост
- Средняя мощность рассеяния: 4800 Вт
- Температура окружающей среды: до 100°C
- Тип охлаждения: Принудительное воздушное
- Монтаж: Скобами на теплоотвод
Модуль обеспечивает эффективное управление и преобразование энергии в системах, таких как инверторы, приводные устройства и другие промышленные приложения.