Semikron SKM200GB123D
Semikron SKM200GB123D — полупроводниковый модуль, предназначенный для управления мощностью и преобразования энергии в промышленных системах.
Технические данные:
- Номинальный ток: 200 А
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение: 1200 В
- Максимальное прямое напряжение: 2.2 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Корпус: Стандартный корпус с монтажными отверстиями для установки на радиатор
- Рабочая температура: от -40°C до +125°C
Модуль предназначен для использования в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах. Обеспечивает высокую надежность и эффективность при высоких токах и напряжениях.
Технические данные:
- Номинальный ток: 200 А
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение: 1200 В
- Максимальное прямое напряжение: 2.2 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Корпус: Стандартный корпус с монтажными отверстиями для установки на радиатор
- Рабочая температура: от -40°C до +125°C
Модуль предназначен для использования в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах. Обеспечивает высокую надежность и эффективность при высоких токах и напряжениях.
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Semikron SKM200GB123D
Semikron SKM200GB123D — полупроводниковый модуль, предназначенный для управления мощностью и преобразования энергии в промышленных системах.
Технические данные:
- Номинальный ток: 200 А
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение: 1200 В
- Максимальное прямое напряжение: 2.2 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт
- Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Корпус: Стандартный корпус с монтажными отверстиями для установки на радиатор
- Рабочая температура: от -40°C до +125°C
Модуль предназначен для использования в преобразователях частоты, источниках питания и других силовых устройствах. Обеспечивает высокую надежность и эффективность при высоких токах и напряжениях.