Перейти к содержанию
Нажмите или наведите курсор на изображения для увеличения

Fuji Electric 1MBI900VXA-120PD-50

19 520 ₽ c НДС
Fuji Electric 1MBI900VXA‑120PD‑50 - силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и промышленной силовой электроники.
Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1‑in‑1 (одиночный ключ, chopper‑исполнение) и обеспечивает эффективную коммутацию высоких токов и напряжений в DC‑DC преобразователях, инверторах и приводных системах.
Технические характеристики:
Производитель: Fuji Electric Модель: 1MBI900VXA‑120PD‑50 Тип: IGBT силовой модуль Конфигурация: 1‑in‑1 (single switch, chopper / low-side) Серия: V series (6‑е поколение) Максимальное напряжение (VCES): 1200 В Номинальный ток: 900 А Импульсный ток: ~1800 А Максимальная температура кристалла: 175 °C Тип корпуса: PrimePACK (M271) Изоляционное напряжение: до 4000 В AC Рабочая температура: до 150 °C Особенности:
высокая скорость коммутации низкие потери при переключении низкая паразитная индуктивность встроенный диод свободного хода высокая термостойкость и перегрузочная способность Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC‑DC преобразователи, источники питания, силовая электроника высокой мощности.


Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!

info@polytorg.com
 Поделиться



О Fuji Electric 1MBI900VXA-120PD-50

Fuji Electric 1MBI900VXA‑120PD‑50 - силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и промышленной силовой электроники.

Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1‑in‑1 (одиночный ключ, chopper‑исполнение) и обеспечивает эффективную коммутацию высоких токов и напряжений в DC‑DC преобразователях, инверторах и приводных системах.

Технические характеристики:

  • Производитель: Fuji Electric
  • Модель: 1MBI900VXA‑120PD‑50
  • Тип: IGBT силовой модуль
  • Конфигурация: 1‑in‑1 (single switch, chopper / low-side)
  • Серия: V series (6‑е поколение)
  • Максимальное напряжение (VCES): 1200 В
  • Номинальный ток: 900 А
  • Импульсный ток: ~1800 А
  • Максимальная температура кристалла: 175 °C
  • Тип корпуса: PrimePACK (M271)
  • Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
  • Рабочая температура: до 150 °C

Особенности:

  • высокая скорость коммутации
  • низкие потери при переключении
  • низкая паразитная индуктивность
  • встроенный диод свободного хода
  • высокая термостойкость и перегрузочная способность

Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC‑DC преобразователи, источники питания, силовая электроника высокой мощности.

×
×
  • Создать...
Вверх