Fuji Electric 1MBI650VXA-170EL-50
Fuji Electric 1MBI650VXA-170EL-50 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V (6-е поколение), предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и DC-DC схем (chopper).
Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ, low-side chopper) и используется для эффективной коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Применяется в инверторах, приводах, системах преобразования энергии и тяговых установках.
Технические характеристики:
Производитель: Fuji Electric Модель: 1MBI650VXA-170EL-50 Тип: IGBT силовой модуль Конфигурация: 1-in-1 (chopper, low-side) Серия: V series (6-е поколение) Максимальное напряжение (VCES): 1700 В Номинальный ток: 650 А (при Tc≈100 °C) Импульсный ток: до 1300 А Максимальная температура кристалла: до 175 °C Рабочая температура: до 150 °C Изоляционное напряжение: до 4000 В AC Тип корпуса: PrimePACK (M271) Габариты: ~172×89 мм Масса: ~850 г Особенности:
высокая скорость переключения и низкие потери низкая паразитная индуктивность конструкции встроенный диод свободного хода высокая термостойкость и перегрузочная способность оптимизирован для схем повышающего (boost) преобразования Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC-DC преобразователи, системы PFC, тяговые установки (включая железнодорожную технику), источники питания и энергетические системы высокой мощности.
Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ, low-side chopper) и используется для эффективной коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Применяется в инверторах, приводах, системах преобразования энергии и тяговых установках.
Технические характеристики:
Производитель: Fuji Electric Модель: 1MBI650VXA-170EL-50 Тип: IGBT силовой модуль Конфигурация: 1-in-1 (chopper, low-side) Серия: V series (6-е поколение) Максимальное напряжение (VCES): 1700 В Номинальный ток: 650 А (при Tc≈100 °C) Импульсный ток: до 1300 А Максимальная температура кристалла: до 175 °C Рабочая температура: до 150 °C Изоляционное напряжение: до 4000 В AC Тип корпуса: PrimePACK (M271) Габариты: ~172×89 мм Масса: ~850 г Особенности:
высокая скорость переключения и низкие потери низкая паразитная индуктивность конструкции встроенный диод свободного хода высокая термостойкость и перегрузочная способность оптимизирован для схем повышающего (boost) преобразования Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC-DC преобразователи, системы PFC, тяговые установки (включая железнодорожную технику), источники питания и энергетические системы высокой мощности.
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Fuji Electric 1MBI650VXA-170EL-50
Fuji Electric 1MBI650VXA-170EL-50 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V (6-е поколение), предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и DC-DC схем (chopper).
Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ, low-side chopper) и используется для эффективной коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Применяется в инверторах, приводах, системах преобразования энергии и тяговых установках.
Технические характеристики:
- Производитель: Fuji Electric
- Модель: 1MBI650VXA-170EL-50
- Тип: IGBT силовой модуль
- Конфигурация: 1-in-1 (chopper, low-side)
- Серия: V series (6-е поколение)
- Максимальное напряжение (VCES): 1700 В
- Номинальный ток: 650 А (при Tc≈100 °C)
- Импульсный ток: до 1300 А
- Максимальная температура кристалла: до 175 °C
- Рабочая температура: до 150 °C
- Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
- Тип корпуса: PrimePACK (M271)
- Габариты: ~172×89 мм
- Масса: ~850 г
Особенности:
- высокая скорость переключения и низкие потери
- низкая паразитная индуктивность конструкции
- встроенный диод свободного хода
- высокая термостойкость и перегрузочная способность
- оптимизирован для схем повышающего (boost) преобразования
Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC-DC преобразователи, системы PFC, тяговые установки (включая железнодорожную технику), источники питания и энергетические системы высокой мощности.