Fuji Electric 2MBI650VXA-170E-54
Fuji Electric 2MBI650VXA-170E-54 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и приводных систем.
Краткое описание:
Модуль объединяет два IGBT-ключа в одном корпусе (конфигурация 2-in-1) и обеспечивает эффективное управление и коммутацию высоких токов и напряжений. Применяется в инверторах, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания и системах энергетики, где требуется высокая надёжность и КПД.
Технические характеристики:
Производитель: Fuji Electric Модель: 2MBI650VXA-170E-54 Тип: IGBT силовой модуль Конфигурация: 2-in-1 (двойной модуль) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В Номинальный ток: до 650 А (при Tc≈100 °C) Импульсный ток: до 1300 А Максимальная температура кристалла: до 175 °C Изоляционное напряжение: до 4000 В AC Рабочий температурный диапазон: −40…+150 °C Тип корпуса: силовой модуль с низкой индуктивностью Охлаждение: через теплоотвод (монтаж на радиатор) Особенности:
высокая мощность и токовая нагрузочная способность низкие потери при переключении и проводимости встроенные быстрые обратные диоды высокая скорость коммутации низкая паразитная индуктивность конструкции высокая термостойкость и надёжность в тяжёлых условиях Применение:
частотные преобразователи, промышленные электроприводы, UPS-системы, сварочное оборудование, железнодорожная техника, системы возобновляемой энергетики и мощные инверторы.
Краткое описание:
Модуль объединяет два IGBT-ключа в одном корпусе (конфигурация 2-in-1) и обеспечивает эффективное управление и коммутацию высоких токов и напряжений. Применяется в инверторах, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания и системах энергетики, где требуется высокая надёжность и КПД.
Технические характеристики:
Производитель: Fuji Electric Модель: 2MBI650VXA-170E-54 Тип: IGBT силовой модуль Конфигурация: 2-in-1 (двойной модуль) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В Номинальный ток: до 650 А (при Tc≈100 °C) Импульсный ток: до 1300 А Максимальная температура кристалла: до 175 °C Изоляционное напряжение: до 4000 В AC Рабочий температурный диапазон: −40…+150 °C Тип корпуса: силовой модуль с низкой индуктивностью Охлаждение: через теплоотвод (монтаж на радиатор) Особенности:
высокая мощность и токовая нагрузочная способность низкие потери при переключении и проводимости встроенные быстрые обратные диоды высокая скорость коммутации низкая паразитная индуктивность конструкции высокая термостойкость и надёжность в тяжёлых условиях Применение:
частотные преобразователи, промышленные электроприводы, UPS-системы, сварочное оборудование, железнодорожная техника, системы возобновляемой энергетики и мощные инверторы.
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Fuji Electric 2MBI650VXA-170E-54
Fuji Electric 2MBI650VXA-170E-54 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и приводных систем.
Краткое описание:
Модуль объединяет два IGBT-ключа в одном корпусе (конфигурация 2-in-1) и обеспечивает эффективное управление и коммутацию высоких токов и напряжений. Применяется в инверторах, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания и системах энергетики, где требуется высокая надёжность и КПД.
Технические характеристики:
- Производитель: Fuji Electric
- Модель: 2MBI650VXA-170E-54
- Тип: IGBT силовой модуль
- Конфигурация: 2-in-1 (двойной модуль)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В
- Номинальный ток: до 650 А (при Tc≈100 °C)
- Импульсный ток: до 1300 А
- Максимальная температура кристалла: до 175 °C
- Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
- Рабочий температурный диапазон: −40…+150 °C
- Тип корпуса: силовой модуль с низкой индуктивностью
- Охлаждение: через теплоотвод (монтаж на радиатор)
Особенности:
- высокая мощность и токовая нагрузочная способность
- низкие потери при переключении и проводимости
- встроенные быстрые обратные диоды
- высокая скорость коммутации
- низкая паразитная индуктивность конструкции
- высокая термостойкость и надёжность в тяжёлых условиях
Применение:
частотные преобразователи, промышленные электроприводы, UPS-системы, сварочное оборудование, железнодорожная техника, системы возобновляемой энергетики и мощные инверторы.