Перейти к содержанию
Нажмите или наведите курсор на изображения для увеличения

Fuji Electric 2MBI900VXA‑120E‑54

27 000 ₽ c НДС
Мощный силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) для применения в силовой электронике. Представляет собой двухканальный модуль с высоковольтными IGBT‑транзисторами, предназначенный для коммутации и управления большими нагрузками в схемах преобразования и управления мощностью.
Основное назначение: Используется в силовой электронике для управления двигателями, преобразователями частоты, сервоприводами, ИБП, промышленных инверторах и других приложениях, где требуется обработка высоких напряжений и токов при высокоскоростном переключении.
Технические характеристики
Тип устройства: IGBT‑модуль с двумя переключателями (Dual Switch)
Производитель: Fuji Electric
Номинальное напряжение коллектора‑эмиттера (Vce): 1200 V
Номинальный ток коллектора: около 900 A
Конфигурация: два IGBT‑канала в одном модуле
Технология: V‑серия с низкой индуктивностью для быстрого переключения
Максимальная температура соединения (Tj max): около 175 °C
Операционная температура: до примерно 150 °C
Корпус: модульная конструкция, обеспечивающая удобство монтажа и охлаждения
Структура: низкая индуктивность для уменьшения потерь при переключении и повышения эффективности
Защита и особенности: высокая устойчивость к нагрузкам, подходит для работы в тяжёлых промышленных условиях
Применение
‑ Частотные преобразователи и инверторы для управления трёхфазными электродвигателями
‑ Приводы и сервосистемы с высокой динамикой
‑ Силовые преобразователи в системах электропитания и ИБП
‑ Промышленные системы автоматизации, сварочные аппараты, источники питания и энергосберегающие установки
Особенности
‑ Высокая мощность и способность работать при больших токах и напряжениях
‑ Быстрое переключение с низкими потерями
‑ Компактная модульная конструкция для удобства интеграции в силовые схемы


Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!

info@polytorg.com
 Поделиться



О Fuji Electric 2MBI900VXA‑120E‑54

Мощный силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) для применения в силовой электронике. Представляет собой двухканальный модуль с высоковольтными IGBT‑транзисторами, предназначенный для коммутации и управления большими нагрузками в схемах преобразования и управления мощностью.

Основное назначение: Используется в силовой электронике для управления двигателями, преобразователями частоты, сервоприводами, ИБП, промышленных инверторах и других приложениях, где требуется обработка высоких напряжений и токов при высокоскоростном переключении.

Технические характеристики

Тип устройства: IGBT‑модуль с двумя переключателями (Dual Switch)
Производитель: Fuji Electric
Номинальное напряжение коллектора‑эмиттера (Vce): 1200 V
Номинальный ток коллектора: около 900 A
Конфигурация: два IGBT‑канала в одном модуле
Технология: V‑серия с низкой индуктивностью для быстрого переключения
Максимальная температура соединения (Tj max): около 175 °C
Операционная температура: до примерно 150 °C
Корпус: модульная конструкция, обеспечивающая удобство монтажа и охлаждения
Структура: низкая индуктивность для уменьшения потерь при переключении и повышения эффективности
Защита и особенности: высокая устойчивость к нагрузкам, подходит для работы в тяжёлых промышленных условиях

Применение

‑ Частотные преобразователи и инверторы для управления трёхфазными электродвигателями
‑ Приводы и сервосистемы с высокой динамикой
‑ Силовые преобразователи в системах электропитания и ИБП
‑ Промышленные системы автоматизации, сварочные аппараты, источники питания и энергосберегающие установки

Особенности

‑ Высокая мощность и способность работать при больших токах и напряжениях
‑ Быстрое переключение с низкими потерями
‑ Компактная модульная конструкция для удобства интеграции в силовые схемы

×
×
  • Создать...
Вверх