Infineon G4PF50W
Полевой силовой MOSFET‑транзистор для управления нагрузками и преобразования энергии в силовой электронике. Обеспечивает низкие потери при переключении и подходит для регулируемых источников питания, инверторов, приводов и DC/DC‑преобразователей.
Технические параметры:
Тип: силовой MOSFET‑транзистор
Серия/модель: G4PF50W
Конфигурация: N‑канальный MOSFET
Номинальное напряжение сток‑исток: 500 В
Номинальный ток: рассчитан на высокие уровни тока (в спецификации изделия)
RDS(on): низкое сопротивление насыщения для эффективного управления мощностью
Корпус: силовой корпус для монтажа на плату или радиатор
Температурный диапазон: промышленный рабочий диапазон
Применение: силовые преобразователи, источники питания, преобразователи напряжения, приводы
MOSFET обеспечивает эффективное и надёжное управление силовыми цепями в широком диапазоне промышленных применений.
Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!
info@polytorg.com
О Infineon G4PF50W
Infineon G4PF50W
Полевой силовой MOSFET‑транзистор для управления нагрузками и преобразования энергии в силовой электронике. Обеспечивает низкие потери при переключении и подходит для регулируемых источников питания, инверторов, приводов и DC/DC‑преобразователей.
Технические параметры:
-
Тип: силовой MOSFET‑транзистор
-
Серия/модель: G4PF50W
-
Конфигурация: N‑канальный MOSFET
-
Номинальное напряжение сток‑исток: 500 В
-
Номинальный ток: рассчитан на высокие уровни тока (в спецификации изделия)
-
RDS(on): низкое сопротивление насыщения для эффективного управления мощностью
-
Корпус: силовой корпус для монтажа на плату или радиатор
-
Температурный диапазон: промышленный рабочий диапазон
-
Применение: силовые преобразователи, источники питания, преобразователи напряжения, приводы
MOSFET обеспечивает эффективное и надёжное управление силовыми цепями в широком диапазоне промышленных применений.



