Перейти к содержанию
Нажмите или наведите курсор на изображения для увеличения

Semikron SEMiX603GB12E4P

18 000 ₽ c НДС
Semikron SEMiX603GB12E4P - высокомощный силовой модуль IGBT серии SEMiX, предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах частотных приводов, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания (UPS), солнечных и ветровых преобразователях энергии, тяговых приводах. Модуль объединяет IGBT‑ключи и свободно‑проводящие диоды в одном корпусе с низким тепловым сопротивлением и удобной конструкцией для монтажа на радиатор, что обеспечивает высокую плотность мощности и надёжность в тяжёлых условиях эксплуатации.
Технические параметры:
Тип устройства: силовой IGBT‑модуль SEMiX
Модель: SEMiX603GB12E4P
Номинальное напряжение: 1200 В
Номинальный ток: 600 А
Конфигурация: трёхфазный мост (6 IGBT + 6 диодов)
Коммутационные элементы: IGBT‑транзисторы с обратно‑параллельными диодами
Тип корпуса: модульная конструкция для установки на радиатор с болтовыми креплениями
Рабочие температуры: рассчитан на промышленный диапазон рабочих температур
Тепловое сопротивление: оптимизировано для эффективного отвода тепла
Пиковые характеристики: рассчитан на высокие импульсные нагрузки и частые переключения
Защитные особенности: встроенные элементы для надёжного переключения и устойчивости к тепловым и электрическим перегрузкам
Область применения: силовые преобразователи частоты, электроприводы, источники бесперебойного питания, силовые инверторы, энергетические системы
Модуль SEMiX603GB12E4P обеспечивает высокую надёжность, эффективность и долговечность при коммутации мощных силовых цепей, что делает его подходящим для промышленной и энергетической силовой электроники.


Присылайте запрос на почту, и мы оперативно ответим Вам!

info@polytorg.com
 Поделиться



О Semikron SEMiX603GB12E4P

Semikron SEMiX603GB12E4P - высокомощный силовой модуль IGBT серии SEMiX, предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах частотных приводов, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания (UPS), солнечных и ветровых преобразователях энергии, тяговых приводах. Модуль объединяет IGBT‑ключи и свободно‑проводящие диоды в одном корпусе с низким тепловым сопротивлением и удобной конструкцией для монтажа на радиатор, что обеспечивает высокую плотность мощности и надёжность в тяжёлых условиях эксплуатации.

Технические параметры:

  • Тип устройства: силовой IGBT‑модуль SEMiX

  • Модель: SEMiX603GB12E4P

  • Номинальное напряжение: 1200 В

  • Номинальный ток: 600 А

  • Конфигурация: трёхфазный мост (6 IGBT + 6 диодов)

  • Коммутационные элементы: IGBT‑транзисторы с обратно‑параллельными диодами

  • Тип корпуса: модульная конструкция для установки на радиатор с болтовыми креплениями

  • Рабочие температуры: рассчитан на промышленный диапазон рабочих температур

  • Тепловое сопротивление: оптимизировано для эффективного отвода тепла

  • Пиковые характеристики: рассчитан на высокие импульсные нагрузки и частые переключения

  • Защитные особенности: встроенные элементы для надёжного переключения и устойчивости к тепловым и электрическим перегрузкам

  • Область применения: силовые преобразователи частоты, электроприводы, источники бесперебойного питания, силовые инверторы, энергетические системы

Модуль SEMiX603GB12E4P обеспечивает высокую надёжность, эффективность и долговечность при коммутации мощных силовых цепей, что делает его подходящим для промышленной и энергетической силовой электроники.

×
×
  • Создать...
Вверх