SICK

SICK WF30-40B410 – фотоэлектрический датчик для детекции объектов на основе изменения светового потока.

Технические данные:
- Принцип работы: фотоэлектрический барьер (светоотражающий)
- Расстояние обнаружения: до 40 метров
- Источник света: инфракрасный светодиод
- Рабочее напряжение: 10-30 В DC
- Выход: PNP или NPN
- Максимальный ток нагрузки: 100 мА
- Частота переключения: до 500 Гц
- Тип соединения: разъем M12, 4-контактный
- Степень защиты: IP67
- Температурный диапазон: от -25 до +55 °C

Датчик подходит для использования в различных автоматизированных системах, таких как конвейерные линии и системы контроля.

SICK IQ12-08NNOKT0S – индуктивный датчик приближения, предназначенный для бесконтактного обнаружения металлических объектов.

Технические данные:
- Тип датчика: индуктивный, квадратный корпус
- Номинальное расстояние срабатывания: 8 мм
- Рабочее напряжение: 10-30 В DC
- Выходной сигнал: NPN, нормально открытый
- Максимальный ток нагрузки: 200 мА
- Защита от короткого замыкания и переполюсовки
- Тип подключения: кабель длиной 2 м
- Степень защиты: IP67
- Материал корпуса: пластик (PBT)
- Температурный диапазон: от -25 до +75 °C

Датчик подходит для применения в системах автоматизации, где требуется надежное и точное обнаружение металлических объектов.

SICK WL280-2R4331 представляет собой датчик расстояния, предназначенный для измерения расстояния и обнаружения объектов в промышленности. Устройство использует лазерную технологию для высокоточного измерения и контроля.

Технические характеристики:

• Тип устройства: лазерный датчик расстояния
• Принцип работы: лазерное измерение
• Диапазон измерений: 50 мм - 8 м
• Выходной сигнал: 0-10 В, 4-20 мА
• Напряжение питания: 10–30 В DC
• Рабочая температура: от -10 до +50 °C
• Защита от пыли и влаги: IP67
• Материал корпуса: пластик
• Размеры: 92 мм (длина) x 44 мм (ширина) x 42 мм (глубина)

Датчик используется для точного измерения расстояний и контроля положения объектов в автоматизированных системах, обеспечивая высокую точность и устойчивость к внешним воздействиям.