Infineon

Полупроводниковый модуль Infineon TT162N14KOF предназначен для использования в мощных силовых установках и системах преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: тиристорный модуль
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm): 1400 В
- Номинальный ток (It(av)): 162 А
- Пиковый импульсный ток (Itsm): 3800 А
- Время выключения (tq): 100 мкс
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,13 К/Вт
- Корпус: модульный, тип KOF
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon TT162N14KOF применяется в инверторах, преобразователях частоты и других силовых системах, требующих высокой надежности и долговечности.

Тиристорный модуль Infineon TT210N16KOF предназначен для применения в высокомощных системах управления и преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: тиристорный модуль
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm): 1600 В
- Номинальный ток (It(av)): 210 А
- Пиковый импульсный ток (Itsm): 5500 А
- Время выключения (tq): 100 мкс
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,12 К/Вт
- Корпус: модульный, тип KOF
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon TT210N16KOF предназначен для работы в преобразователях частоты, инверторах и других промышленных силовых установках.

Модуль Infineon FF450R12KE4 предназначен для применения в системах преобразования и управления энергией. Он используется в мощных инверторах, источниках бесперебойного питания и промышленной электронике.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vces): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (Ic): 450 А
- Пиковый ток (Icm): 900 А
- Время включения/выключения (ton/toff): 0,8/1,2 мкс
- Максимальная рабочая температура кристалла: +150°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,015 К/Вт
- Корпус: EconoDUAL
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon FF450R12KE4 применяется для эффективного управления высокими токами в различных промышленных приложениях.

Модуль Infineon FF300R12KT3 представляет собой мощный IGBT-модуль, применяемый в системах преобразования и управления энергией. Он используется в инверторах, источниках бесперебойного питания и промышленных приводах.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vces): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (Ic): 300 А
- Пиковый ток (Icm): 600 А
- Время включения/выключения (ton/toff): 0,6/1,2 мкс
- Максимальная рабочая температура кристалла: +150°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,09 К/Вт
- Корпус: EconoPACK 3
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon FF300R12KT3 предназначен для работы в высоконагруженных системах, требующих надежного управления мощностью и эффективного теплоотведения.

Infineon AUIRGP50B60PD1 представляет собой силовой транзистор MOSFET, предназначенный для применения в системах с высокими требованиями к эффективности и надежности. Этот компонент часто используется в источниках питания, инверторах и других устройствах управления энергией.

Технические данные:

- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Номинальный ток стока (Id): 50 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.065 Ом при Vgs = 10 В
- Напряжение затвора-истока (Vgs): ±20 В
- Время переключения (ton/toff): 110 нс/125 нс
- Параметры корпуса: TO-247

Infineon AUIRGP50B60PD1 обеспечивает высокую производительность в условиях переменного и постоянного тока, что делает его идеальным для различных приложений в области управления питанием.

Infineon IRGPS4067DPBF — это мощный транзистор MOSFET, предназначенный для высоковольтных приложений в области управления энергией. Этот компонент используется в различных устройствах, таких как источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Технические данные:

- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Номинальный ток стока (Id): 40 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.035 Ом при Vgs = 10 В
- Напряжение затвора-истока (Vgs): ±20 В
- Параметры корпуса: TO-247

IRGPS4067DPBF обеспечивает надежное и эффективное управление энергией, благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокому напряжению сток-исток, что делает его подходящим для использования в высоковольтных системах.

Infineon FP15R12YT3 — это IGBT транзистор, предназначенный для применения в высоковольтных системах. Используется в инверторах и других устройствах, требующих надежного управления мощностью.

Технические данные:

- Тип: IGBT транзистор
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1200 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 15 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.2 В при Ic = 15 А
- Время включения (ton): 250 нс
- Время выключения (toff): 750 нс
- Параметры корпуса: TO-247

FP15R12YT3 обеспечивает стабильное управление и эффективность в высоковольтных приложениях, благодаря своим характеристикам и надежности.

Infineon BSM75GB120DN2 представляет собой IGBT-модуль, предназначенный для применения в высоковольтных системах управления мощностью. Этот компонент используется в различных областях, таких как инверторы для солнечных батарей и промышленные приводы.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1200 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 75 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 270 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.2 В при Ic = 75 А
- Время включения (ton): 450 нс
- Время выключения (toff): 800 нс
- Параметры корпуса: D2PAK

BSM75GB120DN2 обеспечивает эффективное управление мощностью и стабильную работу в высоковольтных приложениях, что делает его подходящим выбором для использования в различных системах и устройствах.

Infineon FP50R12KT3 представляет собой IGBT-модуль, который используется в приложениях для управления мощностью и преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1200 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 50 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 208 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.0 В при Ic = 50 А
- Время включения (ton): 460 нс
- Время выключения (toff): 650 нс
- Параметры корпуса: ISOPLUS 3

FP50R12KT3 обеспечивает надежное и эффективное управление мощностью в системах с высоким напряжением, что делает его пригодным для использования в различных промышленных приложениях и устройствах преобразования энергии.

Infineon TD180N16KOF представляет собой IGBT-транзистор, предназначенный для управления мощностью в различных промышленных и энергетических приложениях.

Технические данные:

- Тип: IGBT-транзистор
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1600 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 180 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 550 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.4 В при Ic = 180 А
- Время включения (ton): 1400 нс
- Время выключения (toff): 2500 нс
- Параметры корпуса: TO-247

TD180N16KOF подходит для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, таких как инверторы и преобразователи энергии, обеспечивая эффективное управление и надежную работу при больших нагрузках.