Infineon

Мощный однотиристорный модуль Infineon Technologies серии Power Block для фазового управления силовыми нагрузками. Модуль рассчитан на средний ток 425 А и повторяющееся прямое и обратное напряжение 1400 В. Выполнен в корпусе 50 мм с технологией прижимного контакта и изолированной медной опорной плитой, что обеспечивает эффективный теплоотвод и высокую надежность при больших токовых нагрузках.

Технические параметры:

• Производитель: Infineon Technologies, ранее eupec
• Модель: TZ425N14KOF
• Тип: однотиристорный модуль SCR
• Топология: одиночный тиристор для фазового управления
• Средний ток ITAVM: 425 А при TC = 85 °C
• Повторяющееся прямое напряжение VDRM: 1400 В
• Повторяющееся обратное напряжение VRRM: 1400 В
• Ударный ток ITSM: 12 500 А
• Интеграл перегрузки I²t: 781 кА²·с
• Пороговое напряжение VT0: 0,9 В
• Динамическое сопротивление rT: 0,3 мОм
• Критическая скорость нарастания тока di/dt: 120 А/мкс
• Максимальная температура перехода: +125 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC: 0,078 К/Вт
• Испытательное напряжение изоляции: до 3,0 кВ RMS
• Корпус: BG-PB501-1, 50 мм
• Технология монтажа: прижимной контакт
• Подключение: винтовые и FASTON-контакты
• Габариты: около 101 × 50 × 52 мм
• Масса: около 900 г
• Применение: управляемые выпрямители, регуляторы мощности, электроприводы, промышленные нагреватели и силовые преобразователи

Infineon FP15R12W1T4B3BOMA1 (Infineon Technologies) - модуль мощности IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе EasyPIM, предназначенный для силовой электроники и преобразовательной техники. Обеспечивает высокоэффективное переключение и управление трёхфазными и однофазными силовыми цепями в промышленных приложениях. 

Общее описание

Это силовой модуль с интегрированной IGBT‑структурой и диодами, оптимизированный для использования в преобразователях частоты, приводах, источниках питания, промышленной автоматике и кондиционировании воздуха. Конструкция рассчитана на работу с высокими напряжениями и токами, обладает низкими потерями при переключении и устойчивостью к тепловым нагрузкам. 

Технические характеристики

• Производитель: Infineon Technologies

• Тип устройства: IGBT‑модуль мощности (Power Integrated Module, PIM)

• Технология IGBT: TrenchSTOP™ IGBT4 (T4)

• Конфигурация: IGBT с противопараллельными диодами и термистором NTC

• Номинальное напряжение коллектор‑эмиттер (V₍CES₎): 1200 В

• Номинальный ток коллектора (I₍C₎ ном): 15 А

• Максимальный пиковый ток: около 30 А (в зависимости от условий)

• Тип корпуса: EasyPIM™ 1B

• Тип монтажа: модульный корпус для установки на плату/радиатор

• Температурный диапазон эксплуатации: примерно −40 °C … +150 °C рабочая температура соединения

• Сопротивление насыщения (VCE(sat)): низкое при типичных условиях

• Размеры: около 48 мм × 33,8 мм (длина × ширина)

• Дополнительные элементы: встроенный термистор для контроля температуры

• RoHS‑совместимость: соответствует требованиям по ограничению опасных веществ

• Режим работы: промышленный уровень

• Характеристики диодной части: низкое прямое напряжение и хорошие параметры обратного восстановления

Особенности

• Подходит для применения в силовых преобразователях частоты, приводах двигателей, источниках питания и других силовых цепях с необходимостью высокоэффективного коммутационного элемента.

• Обеспечивает низкие потери на переключение и устойчивость к тепловым нагрузкам благодаря технологии TrenchSTOP. 

• Компактный корпус EasyPIM облегчает интеграцию в силовые блоки и улучшает тепловой контакт с радиатором. 

Модуль FP15R12W1T4B3BOMA1 представляет собой надёжное силовое решение для управления мощностью в промышленных и энергетических приложениях.

IR2235J (Infineon / formerly International Rectifier) - силовой драйвер верхнего и нижнего IGBT/MOSFET‑транзисторов для управления полумостовыми и мостовыми схемами в преобразовательной технике. Обеспечивает управление силовыми ключами на высоких частотах и защиту их от аварийных режимов, что делает его подходящим для использования в инверторах, источниках питания и приводах электродвигателей.

Общее описание

IR2235J представляет собой интегральный драйвер верхнего (high‑side) и нижнего (low‑side) транзисторов с буферизированными входами, усиленными выходами и встроенной логикой защиты. Устройство обеспечивает формирование управляющих сигналов для силовых IGBT или MOSFET в полумостовой конфигурации, а также контролирует состояние силовых ключей для предотвращения повреждения при коротких замыканиях, перехлёстах или нештатных условиях.

Технические характеристики

• Производитель: Infineon Technologies (ранее International Rectifier)

• Тип устройства: драйвер верхнего и нижнего IGBT/MOSFET

• Конфигурация: полумостовой драйвер с двумя выходами

• Технология: интегрированная логика управления силовыми ключами

• Напряжение питания драйвера (VCC): типично 10,8…20 В

• Высоковольтное питание верхнего ключа (bootstrap): поддержка до примерно 600 В (значение зависит от схемы)

• Выходной ток (пиковый): ориентировочно несколько ампер для управления затворами

• Встроенные защиты:

  • защита от несимметричных состояний

  • защита от короткого замыкания

  • защита от недопустимой последовательности включения

• Интерфейс входов: совместим с логическими уровнями управляющих микроконтроллеров

• Рабочая частота: подходит для работы на частотах, характерных для частотных преобразователей

• Температурный диапазон эксплуатации: промышленный диапазон (около −40…+125 °C)

• Корпус: стандартный силовой корпус с выводами для монтажа на плату

Применение

• Преобразователи частоты для управления трехфазными и однофазными двигателями

• Источники бесперебойного питания (UPS)

• DC–DC преобразователи

• Инверторы солнечных электростанций

• Приводы постоянного и переменного тока

Особенности

• Интегрированное управление верхним и нижним транзисторами упрощает разработку силовых узлов

• Встроенные схемы защиты повышают надёжность работы

• Поддержка бустерного питания для верхнего ключа

• Совместимость с широким диапазоном силовых IGBT/MOSFET

IR2235J сочетает функциональность драйвера с защитными механизмами, обеспечивая эффективное управление силовыми транзисторами в промышленных преобразовательных системах.

Infineon D1230N18T - силовой IGBT‑транзистор, предназначенный для высокоэффективного управления силовыми цепями в промышленной электронике. Используется в инверторах, приводах переменного тока, источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах и других силовых преобразователях. Обеспечивает надёжное переключение при высоких напряжениях и токах, сочетая преимущества полевого и биполярного управления (IGBT).

Технические параметры:
‑ Тип устройства: IGBT‑транзистор силовой
‑ Модель: D1230N18T
‑ Номинальное напряжение коллектора‑эмиттера: 1800 В
‑ Номинальный ток: рассчитан на высокие силовые нагрузки
‑ Конфигурация: одиночный IGBT‑элемент для силовой схемы
‑ Тепловые характеристики: рассчитан на эффективный отвод тепла при длительной работе
‑ Коммутационные параметры: оптимизирован для низких потерь при включении и выключении
‑ Применение: силовые инверторы, частотные преобразователи, источники питания высокой мощности, тяговые приводы
‑ Рабочий температурный диапазон: промышленный диапазон эксплуатации
‑ Корпус/исполнение: силовое исполнение для монтажа на радиатор или плату с теплоотводом
‑ Особенности: высокая устойчивость к электрическим и тепловым нагрузкам, стабильность переключения при высоких частотах

Infineon D1230N18T обеспечивает надёжное переключение и высокий КПД в силовых цепях, что делает его подходящим выбором для применения в тяжёлых промышленных и энергетических системах.

Полупроводниковый модуль Infineon TT162N14KOF предназначен для использования в мощных силовых установках и системах преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: тиристорный модуль
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm): 1400 В
- Номинальный ток (It(av)): 162 А
- Пиковый импульсный ток (Itsm): 3800 А
- Время выключения (tq): 100 мкс
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,13 К/Вт
- Корпус: модульный, тип KOF
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon TT162N14KOF применяется в инверторах, преобразователях частоты и других силовых системах, требующих высокой надежности и долговечности.

Infineon IR2153PBF — интегральная схема для управления MOSFET или IGBT в источниках питания и инверторах. Обеспечивает работу с высоким напряжением и защиту от короткого замыкания.

Технические данные:

- Тип: драйвер MOSFET/IGBT
- Напряжение питания (Vcc): 10-20 В
- Напряжение стока-истока (Vds): до 600 В
- Каналы: два (для верхнего и нижнего переключателя)
- Выходной ток (Iout): 2 A (пиковое значение)
- Частотный диапазон: до 400 кГц
- Защита: защита от короткого замыкания и перегрева
- Структура: подогреваемая двухканальная схема
- Диапазон температур: -40°C до 150°C
- Тип корпуса: PDIP-8
- Применение: преобразователи напряжения, инверторы, источники бесперебойного питания (UPS), системы управления двигателями

IR2153PBF применяют для управления мощными полупроводниковыми устройствами в высокоскоростных и энергоэффективных системах.

Infineon FS225R12KE3 - силовой модуль IGBT производства Infineon, предназначенный для применения в источниках питания, инверторах, частотных приводах, тяговых системах и другой силовой электронике. Обеспечивает высокую надёжность, низкие потери коммутации и устойчивую работу в тяжёлых эксплуатационных условиях.

Технические параметры:

• Тип устройства: IGBT-силовой модуль

• Модель: FS225R12KE3

• Конфигурация: силовые транзисторы IGBT с параллельными диодами в модульном корпусе

• Номинальное напряжение: 1200 В

• Номинальный ток: 225 А

• Коммутационные параметры: оптимизирован для низких потерь при включении и выключении

• Тепловые параметры: рассчитан на эффективный отвод тепла через теплоотводящий радиатор

• Рабочий температурный диапазон: промышленный диапазон эксплуатации

• Корпус: модульное исполнение для монтажа на радиатор

• Применение: силовые инверторы, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания, приводы электродвигателей, энергетические преобразователи

• Основные свойства: высокая способность к переключению, устойчивость к напряжению и температурным изменениям, хорошая энергетическая плотность

Infineon FS225R12KE3 обеспечивает надёжное и эффективное управление мощными электрическими нагрузками, что делает его подходящим для промышленных и энергетических силовых систем.

Тиристорный модуль Infineon TT210N16KOF предназначен для применения в высокомощных системах управления и преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: тиристорный модуль
- Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm): 1600 В
- Номинальный ток (It(av)): 210 А
- Пиковый импульсный ток (Itsm): 5500 А
- Время выключения (tq): 100 мкс
- Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,12 К/Вт
- Корпус: модульный, тип KOF
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon TT210N16KOF предназначен для работы в преобразователях частоты, инверторах и других промышленных силовых установках.

Модуль Infineon FF450R12KE4 предназначен для применения в системах преобразования и управления энергией. Он используется в мощных инверторах, источниках бесперебойного питания и промышленной электронике.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vces): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (Ic): 450 А
- Пиковый ток (Icm): 900 А
- Время включения/выключения (ton/toff): 0,8/1,2 мкс
- Максимальная рабочая температура кристалла: +150°C
- Сопротивление теплопередаче (Rthjc): 0,015 К/Вт
- Корпус: EconoDUAL
- Способ монтажа: винтовое крепление

Модуль Infineon FF450R12KE4 применяется для эффективного управления высокими токами в различных промышленных приложениях.

Силовой IGBT-модуль Infineon FF300R12KT3 предназначен для коммутации высоких токов и преобразования электрической энергии в промышленных инверторах, частотных преобразователях и системах управления электроприводами. Модуль выполнен по схеме полумоста и содержит два IGBT-транзистора третьего поколения TRENCHSTOP IGBT3 с быстродействующими обратными диодами Emitter Controlled. Конструкция оптимизирована для эффективного переключения и снижения потерь при работе в силовых преобразовательных системах.

Технические характеристики:

• Производитель: Infineon Technologies

• Тип: силовой IGBT-модуль

• Топология: полумост

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В

• Номинальный постоянный ток коллектора: 300 А при температуре корпуса 80 °C

• Максимальный постоянный ток коллектора: 480 А при температуре корпуса 25 °C

• Максимальный импульсный ток коллектора: 600 А

• Тип технологии: TRENCHSTOP IGBT3, Field Stop

• Тип встроенных диодов: Emitter Controlled

• Типовое напряжение насыщения IGBT: 1,7 В при температуре перехода 25 °C

• Типовое прямое напряжение диода: 1,65 В при температуре перехода 25 °C

• Максимальная рассеиваемая мощность: 1450 Вт

• Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В

• Рабочая температура перехода: от −40 до +125 °C

• Максимальная температура перехода: +150 °C

• Корпус: AG-62MMHB, типоразмер 62 мм

• Габариты: 106,4 × 61,4 мм

Infineon AUIRGP50B60PD1 представляет собой силовой транзистор MOSFET, предназначенный для применения в системах с высокими требованиями к эффективности и надежности. Этот компонент часто используется в источниках питания, инверторах и других устройствах управления энергией.

Технические данные:

- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Номинальный ток стока (Id): 50 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.065 Ом при Vgs = 10 В
- Напряжение затвора-истока (Vgs): ±20 В
- Время переключения (ton/toff): 110 нс/125 нс
- Параметры корпуса: TO-247

Infineon AUIRGP50B60PD1 обеспечивает высокую производительность в условиях переменного и постоянного тока, что делает его идеальным для различных приложений в области управления питанием.

Infineon IRGPS4067DPBF — это мощный транзистор MOSFET, предназначенный для высоковольтных приложений в области управления энергией. Этот компонент используется в различных устройствах, таких как источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Технические данные:

- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Номинальный ток стока (Id): 40 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.035 Ом при Vgs = 10 В
- Напряжение затвора-истока (Vgs): ±20 В
- Параметры корпуса: TO-247

IRGPS4067DPBF обеспечивает надежное и эффективное управление энергией, благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокому напряжению сток-исток, что делает его подходящим для использования в высоковольтных системах.

Infineon FP15R12YT3 - силовой модуль IGBT / SiC для использования в преобразователях частоты, инверторах, источниках питания и силовой электронике.

Высокопроизводительный силовой полупроводниковый компонент с низкими потерями и высокой частотой коммутации, обеспечивающий эффективное управление мощностью в промышленных и энергетических приложениях.

Технические характеристики:

• Тип: силовой модуль IGBT / SiC

• Модель: FP15R12YT3

• Номинальный ток: 15 A

• Максимальное напряжение: 1200 V

• Конфигурация: (в зависимости от исполнения — обычно полумост или отдельные элементы для силовых цепей)

• Корпус: модуль для монтажа на радиатор

• Рабочая температура: промышленный диапазон

• Область применения: источники питания, инверторы, электроприводы, солнечные и энергетические системы

Особенности:

• высокая коммутационная частота

• низкие потери мощности

• надёжность в тяжёлых эксплуатационных условиях

• компактное исполнение для простоты интеграции

Infineon BSM75GB120DN2 представляет собой IGBT-модуль, предназначенный для применения в высоковольтных системах управления мощностью. Этот компонент используется в различных областях, таких как инверторы для солнечных батарей и промышленные приводы.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1200 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 75 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 270 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.2 В при Ic = 75 А
- Время включения (ton): 450 нс
- Время выключения (toff): 800 нс
- Параметры корпуса: D2PAK

BSM75GB120DN2 обеспечивает эффективное управление мощностью и стабильную работу в высоковольтных приложениях, что делает его подходящим выбором для использования в различных системах и устройствах.

Infineon FP50R12KT3 представляет собой IGBT-модуль, который используется в приложениях для управления мощностью и преобразования энергии.

Технические данные:

- Тип: IGBT-модуль
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1200 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 50 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 208 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.0 В при Ic = 50 А
- Время включения (ton): 460 нс
- Время выключения (toff): 650 нс
- Параметры корпуса: ISOPLUS 3

FP50R12KT3 обеспечивает надежное и эффективное управление мощностью в системах с высоким напряжением, что делает его пригодным для использования в различных промышленных приложениях и устройствах преобразования энергии.

Infineon SPW20N60C3 — MOSFET транзистор с высоким напряжением, предназначенный для использования в силовых электронных приложениях. Предназначен для работы в устройствах, где требуется высокая эффективность и низкие потери мощности.

Технические данные:

- Тип: N-канальный MOSFET
- Напряжение коллектор-исток (Vds): 600 В
- Ток стока (Id): 20 А
- Сопротивление при открытом ключе (Rds(on)): 0.3 Ом
- Максимальная мощность: 250 Вт
- Параметры зарядки: заряд затвора 280 нКл
- Тип корпуса: TO-220
- Максимальная рабочая температура: 150°C
- Напряжение изоляции: 2500 В
- Применение: источники питания, преобразователи, инверторы, сварочные аппараты, промышленные машины
- Стандарты: RoHS, JEDEC

Infineon SPW20N60C3 обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур, обладает низким сопротивлением канала и высокой способностью к рассеиванию тепла, что делает его идеальным для использования в системах, требующих высокого напряжения и мощности.

Infineon TD180N16KOF представляет собой IGBT-транзистор, предназначенный для управления мощностью в различных промышленных и энергетических приложениях.

Технические данные:

- Тип: IGBT-транзистор
- Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Vce): 1600 В
- Номинальный коллекторский ток (Ic): 180 А
- Максимальная мощность рассеяния (Ptot): 550 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Vce(on)): 2.4 В при Ic = 180 А
- Время включения (ton): 1400 нс
- Время выключения (toff): 2500 нс
- Параметры корпуса: TO-247

TD180N16KOF подходит для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях, таких как инверторы и преобразователи энергии, обеспечивая эффективное управление и надежную работу при больших нагрузках.

Infineon FF150R12KE3G
Силовой IGBT‑модуль высокой мощности для применения в частотных преобразователях, приводах электродвигателей, источниках питания и других силовых преобразователях энергии. Объединяет IGBT‑транзисторы и быстрые диоды с высокой плотностью тока, обеспечивая эффективное управление нагрузками при высоких напряжениях и токах.

Технические параметры:

• Тип: силовой IGBT‑модуль

• Модель: FF150R12KE3G

• Номинальное напряжение: 1200 В

• Номинальный непрерывный ток: 150 А

• Конфигурация: трёхфазный мост (IGBT + диоды)

• Энергетические характеристики: низкие потери при коммутации

• Температурный диапазон: промышленные рабочие температуры

• Монтаж: силовой модуль с площадкой для крепления радиатора

• Корпус: модуль с выводами для пайки/болтового крепления

• Применение: частотные преобразователи, приводы, силовые преобразователи, источники питания

Модуль обеспечивает надёжную работу в высокомощных силовых установках с интенсивными коммутационными режимами.

Infineon G4PF50W
Полевой силовой MOSFET‑транзистор для управления нагрузками и преобразования энергии в силовой электронике. Обеспечивает низкие потери при переключении и подходит для регулируемых источников питания, инверторов, приводов и DC/DC‑преобразователей.

Технические параметры:

• Тип: силовой MOSFET‑транзистор

• Серия/модель: G4PF50W

• Конфигурация: N‑канальный MOSFET

• Номинальное напряжение сток‑исток: 500 В

• Номинальный ток: рассчитан на высокие уровни тока (в спецификации изделия)

• RDS(on): низкое сопротивление насыщения для эффективного управления мощностью

• Корпус: силовой корпус для монтажа на плату или радиатор

• Температурный диапазон: промышленный рабочий диапазон

• Применение: силовые преобразователи, источники питания, преобразователи напряжения, приводы

MOSFET обеспечивает эффективное и надёжное управление силовыми цепями в широком диапазоне промышленных применений.