Fuji Electric

Мощный силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) для применения в силовой электронике. Представляет собой двухканальный модуль с высоковольтными IGBT‑транзисторами, предназначенный для коммутации и управления большими нагрузками в схемах преобразования и управления мощностью.

Основное назначение: Используется в силовой электронике для управления двигателями, преобразователями частоты, сервоприводами, ИБП, промышленных инверторах и других приложениях, где требуется обработка высоких напряжений и токов при высокоскоростном переключении.

Технические характеристики

Тип устройства: IGBT‑модуль с двумя переключателями (Dual Switch)
Производитель: Fuji Electric
Номинальное напряжение коллектора‑эмиттера (Vce): 1200 V
Номинальный ток коллектора: около 900 A
Конфигурация: два IGBT‑канала в одном модуле
Технология: V‑серия с низкой индуктивностью для быстрого переключения
Максимальная температура соединения (Tj max): около 175 °C
Операционная температура: до примерно 150 °C
Корпус: модульная конструкция, обеспечивающая удобство монтажа и охлаждения
Структура: низкая индуктивность для уменьшения потерь при переключении и повышения эффективности
Защита и особенности: высокая устойчивость к нагрузкам, подходит для работы в тяжёлых промышленных условиях

Применение

‑ Частотные преобразователи и инверторы для управления трёхфазными электродвигателями
‑ Приводы и сервосистемы с высокой динамикой
‑ Силовые преобразователи в системах электропитания и ИБП
‑ Промышленные системы автоматизации, сварочные аппараты, источники питания и энергосберегающие установки

Особенности

‑ Высокая мощность и способность работать при больших токах и напряжениях
‑ Быстрое переключение с низкими потерями
‑ Компактная модульная конструкция для удобства интеграции в силовые схемы

Fuji Electric 2MBI650VXA-170E-54 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и приводных систем.

Краткое описание:
Модуль объединяет два IGBT-ключа в одном корпусе (конфигурация 2-in-1) и обеспечивает эффективное управление и коммутацию высоких токов и напряжений. Применяется в инверторах, приводах электродвигателей, источниках бесперебойного питания и системах энергетики, где требуется высокая надёжность и КПД.

Технические характеристики:

• Производитель: Fuji Electric
• Модель: 2MBI650VXA-170E-54
• Тип: IGBT силовой модуль
• Конфигурация: 2-in-1 (двойной модуль)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В
• Номинальный ток: до 650 А (при Tc≈100 °C)
• Импульсный ток: до 1300 А
• Максимальная температура кристалла: до 175 °C
• Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
• Рабочий температурный диапазон: −40…+150 °C
• Тип корпуса: силовой модуль с низкой индуктивностью
• Охлаждение: через теплоотвод (монтаж на радиатор)

Особенности:

• высокая мощность и токовая нагрузочная способность
• низкие потери при переключении и проводимости
• встроенные быстрые обратные диоды
• высокая скорость коммутации
• низкая паразитная индуктивность конструкции
• высокая термостойкость и надёжность в тяжёлых условиях

Применение:
частотные преобразователи, промышленные электроприводы, UPS-системы, сварочное оборудование, железнодорожная техника, системы возобновляемой энергетики и мощные инверторы.

Fuji Electric 1MBI650VXA-170EH-50 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V (6-е поколение), предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и промышленной силовой электроники.

Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ) и применяется в схемах типа chopper (прерыватель), обеспечивая эффективную коммутацию высоких токов и напряжений. Используется в приводах, инверторах и энергетических системах, где требуется высокая надёжность и КПД.

Технические характеристики:

• Производитель: Fuji Electric
• Модель: 1MBI650VXA-170EH-50
• Тип: IGBT силовой модуль
• Конфигурация: 1-in-1 (single switch, chopper)
• Максимальное напряжение (VCES): 1700 В
• Номинальный ток: 650 А (при Tc≈100 °C)
• Импульсный ток: до 1300 А
• Максимальная температура кристалла: до 175 °C
• Рабочая температура: до 150 °C
• Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
• Тип корпуса: PrimePACK / M271
• Габариты: ~172×89 мм
• Масса: ~850 г

Особенности:

• высокая коммутационная скорость и низкие потери
• низкая паразитная индуктивность конструкции
• встроенный диод свободного хода
• высокая термостойкость и перегрузочная способность
• надёжная работа в тяжёлых промышленных условиях

Применение:
промышленные электроприводы, тяговые системы (включая железнодорожные), инверторы, источники питания, системы коррекции коэффициента мощности (PFC), преобразователи энергии и силовая электроника высокой мощности.

Fuji Electric 1MBI650VXA-170EL-50 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V (6-е поколение), предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и DC-DC схем (chopper).

Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ, low-side chopper) и используется для эффективной коммутации высоких токов и напряжений в силовой электронике. Применяется в инверторах, приводах, системах преобразования энергии и тяговых установках.

Технические характеристики:

• Производитель: Fuji Electric
• Модель: 1MBI650VXA-170EL-50
• Тип: IGBT силовой модуль
• Конфигурация: 1-in-1 (chopper, low-side)
• Серия: V series (6-е поколение)
• Максимальное напряжение (VCES): 1700 В
• Номинальный ток: 650 А (при Tc≈100 °C)
• Импульсный ток: до 1300 А
• Максимальная температура кристалла: до 175 °C
• Рабочая температура: до 150 °C
• Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
• Тип корпуса: PrimePACK (M271)
• Габариты: ~172×89 мм
• Масса: ~850 г

Особенности:

• высокая скорость переключения и низкие потери
• низкая паразитная индуктивность конструкции
• встроенный диод свободного хода
• высокая термостойкость и перегрузочная способность
• оптимизирован для схем повышающего (boost) преобразования

Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC-DC преобразователи, системы PFC, тяговые установки (включая железнодорожную технику), источники питания и энергетические системы высокой мощности.

Fuji Electric 1MBI900VXA-120PC-50 - силовой IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V (6-е поколение), предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и промышленной силовой электроники.

Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1-in-1 (одиночный ключ) и обеспечивает эффективную коммутацию высоких токов и напряжений. Используется в инверторах, приводах, системах бесперебойного питания и энергетических установках, где требуется высокая надёжность и КПД.

Технические характеристики:

• Производитель: Fuji Electric
• Модель: 1MBI900VXA-120PC-50
• Тип: IGBT силовой модуль
• Конфигурация: 1-in-1 (single switch)
• Серия: V series (6-е поколение)
• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В
• Номинальный ток: 900 А (при Tc≈100 °C)
• Импульсный ток: до 1800 А
• Максимальная температура кристалла: до 175 °C
• Рабочая температура: до 150 °C
• Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
• Тип корпуса: модуль M153
• Габариты: ~108×62 мм
• Масса: ~380 г

Особенности:

• высокая скорость переключения и низкие потери
• низкая паразитная индуктивность конструкции
• встроенный диод свободного хода
• высокая перегрузочная способность
• высокая термостойкость и надёжность

Применение:
частотные преобразователи, электроприводы, UPS-системы, сервоприводы, сварочное оборудование, промышленные инверторы, системы возобновляемой энергетики и силовая электроника высокой мощности.

Fuji Electric 1MBI900VXA‑120PD‑50 - силовой IGBT‑модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) серии V, предназначенный для высокомощных преобразователей энергии и промышленной силовой электроники.

Краткое описание:
Модуль выполнен в конфигурации 1‑in‑1 (одиночный ключ, chopper‑исполнение) и обеспечивает эффективную коммутацию высоких токов и напряжений в DC‑DC преобразователях, инверторах и приводных системах.

Технические характеристики:

• Производитель: Fuji Electric
• Модель: 1MBI900VXA‑120PD‑50
• Тип: IGBT силовой модуль
• Конфигурация: 1‑in‑1 (single switch, chopper / low-side)
• Серия: V series (6‑е поколение)
• Максимальное напряжение (VCES): 1200 В
• Номинальный ток: 900 А
• Импульсный ток: ~1800 А
• Максимальная температура кристалла: 175 °C
• Тип корпуса: PrimePACK (M271)
• Изоляционное напряжение: до 4000 В AC
• Рабочая температура: до 150 °C

Особенности:

• высокая скорость коммутации
• низкие потери при переключении
• низкая паразитная индуктивность
• встроенный диод свободного хода
• высокая термостойкость и перегрузочная способность

Применение:
промышленные инверторы, электроприводы, DC‑DC преобразователи, источники питания, силовая электроника высокой мощности.

Бренд: Fuji Electric (Япония)

Код: 7MBR50SB120-50

Тип: PIM (Power Integrated Module) — интегрированный силовой модуль

Корпус: M712

Состояние: Устаревший (Obsolete) 

Многофункциональный силовой модуль PIM (Power Integrated Module) для приводов техники. В одном корпусе объединяет трехфазный входной выпрямитель (конвертор), цепь тормозного IGBT (брайк) и трехфазный инверторный мост из IGBT . Это позволяет создать полноценный преобразователь частоты на одном компоненте. В модуле используется NPT-технология (Non-Punch Through) , обеспечивающая высокую надежность. Встроенный термистор служит для контроля температуры кристалла .

Общие параметры:

• Конфигурация: 7 элементов (выпрямительный мост + IGBT тормоза + 6 IGBT инвертора) 

• Корпус / Контакты: Модуль / 24 вывода, винтовые клеммы 

• Температура перехода (Tj): +150 °C (макс.) 

• Температура хранения (Tstg): -40 … +125 °C 

• Крутящий момент винтов: 3.5 Н·м 

• Размеры (Ш × Д × В): 122 × 62 × 20 мм 

• Основание: Медное с никелевым покрытием 

• Коррозионная стойкость: Соответствует стандарту UL 94V-0 (корпус) 

Области применения

• Приводы промышленного оборудования (насосы, вентиляторы, компрессоры) 

• Системы кондиционирования и холодильные установки

• Промышленные инверторы и сервоусилители

• Источники бесперебойного питания (ИБП) 

• Бытовая техника высокого класса

Бренд: Fuji Electric (Япония)

Код: 2MBI150N-060

Тип: IGBT-модуль (N-серия)

Корпус: M233

 Вес: ~180 г

Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCE(sat)), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока .

Области применения

• Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 

• Сервоусилители переменного и постоянного тока 

• Источники бесперебойного питания (ИБП) 

• Высокочастотные силовые преобразователи 

• Системы управления электродвигателями

Бренд: Fuji Electric (Япония)

 Код: 2MBI200N-060

Тип: IGBT-модуль (N-серия)

Корпус: M233

 Вес: ~180 г 

Высокоскоростной силовой IGBT-модуль для приложений силовой электроники. Состоит из двух N-канальных IGBT-транзисторов с обратными диодами (FWD) в одной сборке . Отличается низким напряжением насыщения (VCEsat), улучшенной характеристикой обратных диодов и минимизированной внутренней паразитной индуктивностью . Имеет квадратную область безопасной работы (RBSOA) и функцию ограничения тока (до 3× от номинального) .

Области применения

• Промышленные инверторы для управления двигателями переменного тока 

• Сервоусилители переменного и постоянного тока 

• Источники бесперебойного питания (ИБП) 

• Высокочастотные силовые преобразователи и сварочные аппараты 

• Системы управления электродвигателями

Fuji Electric 2MBI200U4H‑120 - силовой IGBT‑модуль высокой мощности, предназначенный для использования в инверторах, приводах, источниках питания и других силовых схемах, где требуются большие токи и высокие коммутационные частоты.

Полупроводниковый модуль с интегрированными IGBT‑элементами и диодами для эффективного управления и преобразования электрической энергии с высокой надёжностью и минимальными потерями.

Технические характеристики:

• Тип: силовой IGBT‑модуль

• Модель: 2MBI200U4H‑120

• Номинальный ток: 200 A

• Максимальное блокирующее напряжение: 1200 V

• Конфигурация: двухполупериодный модуль с улучшенными характеристиками

• Корпус: силовой модуль для установки на радиатор

• Рабочая температура: промышленный диапазон

• Область применения: частотные преобразователи, электроприводы, источники питания, UPS, промышленная электроника

Особенности:

• высокая токовая нагрузочная способность

• оптимизированные параметры переключения

• низкие потери и высокая энергоэффективность

• устойчивость к тяжёлым эксплуатационным условиям

• совместимость с системами активного охлаждения